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Title: Propriedades eletrônicas e estruturais de grafeno depositado sobre o substrato diamante hidrogenado (111).
Authors: Oliveira, Adriano Soares
metadata.dc.contributor.advisor: Batista, Ronaldo Junio Campos
Keywords: Grafeno
Diamante
Física do estado sólido
Ciência dos materiais
Física computacional
Issue Date: 2014
Citation: OLIVEIRA, A. S. Propriedades eletrônicas e estruturais de grafeno depositado sobre o substrato diamante hidrogenado (111). 2014. 60 f. Dissertação (Mestrado em Física de Materiais) – Universidade Federal de Ouro Preto, Ouro Preto, 2014.
Abstract: Dispositivos que combinam a elevada condução de eletricidade a temperatura ambiente do grafeno com a excelente capacidade do diamante em dissipar energia são de grande interesse para as indústrias de equipamentos ópticos, eletrônicos e eletromecânicos. Sendo assim, nesta dissertação investigamos as propriedades estruturais e eletrônicas de grafeno depositado sobre uma superfície de diamante hidrogenado orientado no plano cristalino (111). Observamos que, com aplicação de pressão, o grafeno comensurável com o substrato de diamante hidrogenado. Esta comensurabilidade deu origem à quebra de simetria das sub-redes A e B do grafeno e, consequentemente, a um gap no ponto de Dirac. Como a superfície de diamante transferiu elétrons para o grafeno, o gap não estava no nível de Fermi e, por isso, a interface grafeno/diamante permaneceu condutora. A dopagem da folha de grafeno pôde ser revertida com aplicação de campo elétrico orientado na direção (111), o que tornou a interface semicondutora. Assim a interface grafeno/diamante se comportou como um transistor por efeito de campo.
metadata.dc.description.abstracten: Devices that combine the high conduction of electricity at room temperature of graphene with excellent ability to dissipate heat of diamond are of great interest for industry of optical, electronic and electromechanical equipment. Thus, in this thesis investigated the structural and electronic properties of graphene deposited on a surface of hydrogenated diamond oriented (111) direction. We observe that with the application of pressure graphene can be made commensurable with the hydrogenated diamond substrate. This commensurability leads to symmetry breaking of the sublattices A and B of graphene and, therefore, to a band gap in the Dirac point . As the diamond surface transfers electrons to the graphene, the gap is not the Fermi level and therefore the interface graphene / diamond remains metallic. The doping of the graphene sheet could be reversed by applying an electric _eld oriented in the direction (111) which turns the interface metallic behavior into a semiconductor. Thus, the graphene / diamond interface behaves as a _eld e_ect transistor.
Description: Programa de Pós-Graduação em Ciências – Física de Materiais. Departamento de Física, Instituto de Ciências Exatas e Biológicas, Universidade Federal de Ouro Preto.
URI: http://www.repositorio.ufop.br/handle/123456789/3527
metadata.dc.rights.license: Autorização concedida ao Repositório Institucional da UFOP pelo autor(a), 14/07/2014, com as seguintes condições: disponível sob Licença Creative Commons 3.0, que permite copiar, distribuir e transmitir o trabalho, desde que seja citado o autor e licenciante. Não permite o uso para fins comerciais nem a adaptação desta.
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