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dc.contributor.advisorBranco, José Roberto Tavarespt_BR
dc.contributor.authorSabino, Milena Emerenciano Luz-
dc.date.accessioned2013-06-10T16:37:25Z-
dc.date.available2013-06-10T16:37:25Z-
dc.date.issued2007-
dc.identifier.citationSABINO, M. E. L. Desenvolvimento de filmes finos de óxidos condutores e transparentes de ZnO para aplicação em células solares. 2007. 141 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia de Materiais) – Universidade Federal de Ouro Preto, Ouro Preto, 2007.pt_BR
dc.identifier.urihttp://www.repositorio.ufop.br/handle/123456789/2905-
dc.description.abstractNeste trabalho foram desenvolvidos filmes condutores e transparentes de óxido de zinco (ZnO) sem dopagem, com transmitância e condutividade elétrica adequadas para aplicação como contato frontal de células fotovoltaicas. Devido à sua estabilidade química, boas propriedades ópticas e elétricas, largo band gap, abundância na natureza e baixa toxicidade, filmes finos de ZnO são atualmente os materiais mais utilizados como óxido condutores e transparentes. Os filmes foram produzidos por evaporação reativa, por feixe de elétrons e com assistência de plasma de argônio mais oxigênio. Usou-se também pulverização catódica reativa, com corrente contínua (sputtering D.C.) e alvo de zinco, em atmosfera de argônio e oxigênio. Para o desenvolvimento dos parâmetros, usou-se como principais variáveis dependentes a resistividade elétrica e a transmitância na região do visível dos filmes. Como variáveis independentes usou-se potência de sputtering, pressão parcial de oxigênio e temperatura de substrato. O tratamento termoquímico utilizando atmosfera de oxigênio resultou no aumento da transmitância na região do visível e da resistividade elétrica dos filmes produzidos por feixe de elétrons. Os parâmetros críticos para obtenção de um bom compromisso entre a resistividade e a transmitância foram obtidos controlando a pressão parcial de oxigênio entre 0,083 e 2,8x10-3mbar. Com isso foi possível obter filmes de ZnO com transmitância de 78% e baixa resistividade de 1,13.10-1 Ω.cm pela técnica de sputtering D.C.pt_BR
dc.language.isopt_BRpt_BR
dc.publisherPrograma de Pós-Graduação em Engenharia de Materiais. Rede Temática em Engenharia de Materiais, Pró-Reitoria de Pesquisa e Pós-Graduação, Universidade Federal de Ouro Preto.pt_BR
dc.subjectCélulas solarespt_BR
dc.subjectFilmes finospt_BR
dc.subjectÓxido de zincopt_BR
dc.subjectDeposição física de vaporpt_BR
dc.titleDesenvolvimento de filmes finos de óxidos condutores e transparentes de ZnO para aplicação em células solares.pt_BR
dc.typeDissertacaopt_BR
dc.description.abstractenNeste trabalho foram desenvolvidos filmes finos condutores e transparentes de óxido de zinco (ZnO) sem dopagem, com transmitância e condutividade elétrica adequadas para aplicação como contato frontal de células fotovoltaicas. Devido à sua estabilidade química, boas propriedades ópticas e elétricas, largo band gap, abundância na natureza e baixa toxicidade, filmes finos de ZnO são atualmente os materiais mais utilizados como óxido condutores e transparentes. Os filmes foram produzidos por evaporação reativa, por feixe de elétrons e com assistência de plasma de argônio mais oxigênio. Usou-se também pulverização catódica reativa, com corrente contínua (sputtering D.C.) e alvo de zinco, em atmosfera de argônio e oxigênio. Para o desenvolvimento dos parâmetros, usou-se como principais variáveis dependentes a resistividade elétrica e a transmitância na região do visível dos filmes. Como variáveis independentes usou-se potência de sputtering, pressão parcial de oxigênio e temperatura de substrato. O tratamento termoquímico utilizando atmosfera de oxigênio resultou no aumento da transmitância na região do visível e da resistividade elétrica dos filmes produzidos por feixe de elétrons. Os parâmetros críticos para obtenção de um bom compromisso entre a resistividade e a transmitância foram obtidos controlando a pressão parcial de oxigênio entre 0,083 e 2,8x10-3mbar. Com isso foi possível obter filmes de ZnO com transmitância de 78% e baixa resistividade de 1,13.10-1 Ω.cm pela técnica de sputtering D.C.-
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