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Title: Desenvolvimento de filme fino de a-Si:H por pulverização catódica para aplicações fotovoltaicas.
Authors: Santana, Romeu Jesus
metadata.dc.contributor.advisor: Branco, José Roberto Tavares
Keywords: Filmes - sílício
Pulverização catódica
Fotovoltaicas
Engenharia de materiais
Issue Date: 2011
Publisher: Programa de Pós-Graduação em Engenharia de Materiais. Rede Temática em Engenharia de Materiais, Pró-Reitoria de Pesquisa e Pós-Graduação, Universidade Federal de Ouro Preto.
Citation: SANTANA, R. J. Desenvolvimento de filme fino de a-Si:H por pulverização catódica para aplicações fotovoltaicas. 2011. 86 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia de Materiais) – Universidade Federal de Ouro Preto, Ouro Preto, 2011.
Abstract: Filmes finos de silício amorfo hidrogenado (a-Si:H) foram desenvolvidos para aplicações fotovoltaicas. Esses filmes são atualmente muito utilizados em células solares HSJ como camada absorvedora devido às suas boas propriedades ópticas e elétricas, associado a um band gap razoavelmente baixo e um reduzido custo de produção. Os filmes foram sintetizados por pulverização catódica (sputtering d.c.). As técnicas de caracterização utilizadas foram perfilômetria, Raman, IR e UV-vis para sua caracterização estrutural, química e óptica, respectivamente. Para a avaliação dos parâmetros físicos, adotaram-se como variáveis dependentes o coeficiente da absorção óptica, o teor de fase amorfa e a concentração de hidrogênio no material formado. As variáveis independentes utilizadas neste estudo são: pressão e temperatura de deposição. Os filmes finos amorfos foram auferidos com concentrações de hidrogênio superiores a 10% e band gap na faixa de 1,9eV.
metadata.dc.description.abstracten: Hidrogenated amorphous silicon thin film (a-Si:H) were developed for photovoltaic applications. These films are widely used in solar cells HSJ as absorber layer due to its good electrical and optical properties, band gap fairly low and reduced cost for production. They were produced by direct current sputtering (DC sputtering) and used measures of profilometry, Raman, UV-vis and IR characterization for structural, chemical and optical, respectively. As for development of parameters, it was adopted as dependent variables the optical absorption coefficient, the content and the content of amorphous phase of films and hydrogen concentration in the material formed. The independent variables used in this study are: pressure and temperature of deposition. Thin films were received with amorphous hydrogen concentration above 10% and band gap ranged 1,9eV.
URI: http://www.repositorio.ufop.br/handle/123456789/2827
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