DEFIS - Trabalhos apresentados em eventos
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Item Energy transfer in nanostructured films containing poly(p-phenylene vinylene) and acceptor species.(2009) Postacchini, Bruna Bueno; Zucolotto, Valtencir; Dias, Fernando B.; Monkman, Andy; Oliveira Junior, Osvaldo Novais deThe combination of luminescent polymers and suitable energy-accepting materials may lead to a molecularlevel control of luminescence in nanostructured films. In this study, the properties of layer-by-layer (LbL) films of poly(p-phenylene vinylene) (PPV) were investigated with steady-state and time-resolved fluorescence spectroscopies, where fluorescence quenching was controlled by interposing inert polyelectrolyte layers between the PPV donor and acceptor layers made with either Congo Red (CR) or nickel tetrasulfonated phthalocyanine (NiTsPc). The dynamics of the excited state of PPV was affected by the energy-accepting layers, thus confirming the presence of resonant energy transfer mechanisms. Owing to the layered structured of both energy donor and acceptor units, energy transfer varied with the distance between layers, r, according to 1/rn with n ) 2 or 3, rather than with 1/r6 predicted by the Fo¨rster theory for interacting point dipoles.Item Cinética de evaporação do óxido de zinco.(2000) Duarte, Neilson; Ferraz, Wilmar Barbosa; Sabioni, Antônio Claret SoaresEste trabalho descreve a cinética de evaporação de cerâmica policristalina de ZnO entre 1097 e 1300o C, em atmosferas de oxigênio, ar e nitrogênio. Os resultados obtidos são apresentados na forma de equações de Arrhenius, para as diferentes condições experimentais utilizadas.Item Comportamento elétrico de mulita obtida do topázio.(2005) Soares, Robson de Miranda; Soares, Demétrio Arthur Werner; Hosken, Camila Martins; Machado, Wagner Souza; Ferraz, Wilmar Barbosa; Sabioni, Antônio Claret SoaresMedidas de resistividades elétricas de cerâmicas de mulita do topázio, com a razão Al2O3/SiO2 igual a 1,63, foram realizadas entre 25º e 324ºC. Pós de mulita com diferentes granulometrias foram compactados na forma de pastilhas cilíndricas sob pressão de 60 e 100kN/cm2. Os corpos verdes foram sintentizados a 1600ºC, 4h, em ar. As densificações variaram de 78,49% (mulita de baixa densidade) a 93,04% (mulita de alta densidade). As resistividades variaram de 10^10 ohm.m, à 25º C a 10^4 ohm.m a 324ºC. As energias de ativação foram iguais a 0,8 eV. Nas condições experimentais utilizadas, a mulita tem comportamento de semicondutor intríseco e os valores obtidos para a largura da faixa proibida de energia foram 1,54 eV e 1,74 eV, para as mulitas de baixa e alta densidades, respectivamente. Esses valores são intermediários aos disponíveis na literatura para mulita 3:2 e mulita 2:1.Item National system of innovation and technological differentiation : a multi- country evolutionary model (preliminary version).(2005) Bernardes, Américo Tristão; Ruiz, Ricardo Machado; Ribeiro, Leonardo Costa; Albuquerque, Eduardo da Motta eThe paper introduces an agent-based model in which the national system of innovation (NSI) is a main determinant of the wealth of nations. The model is defined as a self-organizing economy where agents are countries with thei r own capabilities for imitation and innovation. The interactions among countries are given by the relative competitiveness of a country in world economy, which is represented by functions that connect their prices, demands, technologies, and incomes. The simulations show that the model reproduces countries hierarchies that have been found in several empirical studies.Item Comparing curvature estimation techniques.(1999) Estrozi, Leandro Farias; Bianchi, Andrea Gomes Campos; Rios Filho, Luiz Gonzaga; César Júnior, Roberto Marcondes; Costa, Luciano da FontouraThis article presents a careful comparative evaluation of two techniques for numerical curvature estimation of 2D closed contours (more specifically closed, regular and simple parametric curves). The considered methods are: (a) a 1-D Fourier-based approach; and (b) a 2-D Fourier-based approach involving the embedding of the contour into a 2-D regular surface (presented for the first time in this article). Both these techniques employ Gaussian smoothing as a regularizing condition in order to estimate the first and second derivatives needed for curvature estimation. These methods are considered according to a multiresolution approach, where the standard deviation of the Gaussians are used as scale parameters. The methods are applied to a standard set of curves whose analytical curvatures are known in order to estimate and compare the errors of the numerical approaches. Three kinds of parametric curves are considered: (i) curves with analytical description; (ii) curves synthesized in terms of Fourier components of curvature; and (iii) curves obtained by splines. A precise comparison methodology is devised which includes the adoption of a common spatial quantization approach (namely square box quantization) and the explicit consideration of the influence of the related smoothing parameters. The obtained results indicate that the 1- D approach is not only faster, but also more accurate. However, the 2-D approach is still interesting and reasonably accurate for applications in situations where the curvature along the whole 2-D domains is needed.Item Preparação e caracterização de filmes ultrafinos de PANI/PVS para aplicação como sensores de detecção de amônia em galpões de criação avícola.(2009) Santos, Mirela de Castro; Santos, Fabrício Aparecido dos; Teixeira, Felipe Portella; Gonçalves, Gislayne Elisana; Bianchi, Andrea Gomes Campos; Bianchi, Rodrigo FernandoNesse trabalho foram caracterizados óptica, elétrica e morfologicamente filmes ultrafinos de PANI/PVS para uso como elemento ativo de sensores de amônia. Os filmes automontados foram depositados entre microeletrodos metálicos formados por uma fina camada de NiCr recoberto com Au. Medidas de absorção na região do UV-VIS mostraram o crescimento linear dos filmes, enquanto a análise das imagens de microscopia de força atômica mostrou o aumento da rugosidade, do tamanho de grão e do tamanho da partícula com a espessura dos filmes. A caracterização elétrica dc evidenciou uma significativa mudança na resistência elétrica do sistema quando a espessura do filme tornou-se equivalente à espessura do eletrodo de NiCr. Esse efeito foi atribuído à alta resistência elétrica da interface NiCr-filme. A impedância complexa obtida foi típica de materiais sólidos desordenados, com influência da interface NiCr-filme em baixas frequências. Por fim, os filmes mostraram ainda aumento de resistência elétrica em cerca de três vezes quando expostos às condições ambientais de galpões de criação avícola ([NH3] < 50 ppm).Item Influência da temperatura de laminação de acabamento na estrutura e propriedades magnéticas de um aço silício GNO com 2% Si.(2006) Paolinelli, Sebastião da Costa; Cunha, Marco Antônio da; Cota, André BarrosAmostras de esboço com 25mm de espessura de um aço silício de grão não orientado (GNO) contendo 2,0% Si e 0,25% Al foram reaquecidas a 1150°C, laminadas num laminador reversível piloto em temperaturas de acabamento de 920 a 1120°C e processadas até o recozimento final para avaliação da evolução da orientação cristalográfica, estrutura de grãos e propriedades magnéticas. Os resultados mostraram que o acréscimo da temperatura de laminação de acabamento provoca pouco benefício na orientação cristalográfica e um aumento contínuo no tamanho de grão da bobina a quente (BQ). Como conseqüência, verificou-se um acréscimo da fração volumétrica da fibra Eta e uma redução da fração da fibra Gama após recozimento final, o que ocasionou um aumento contínuo da indução magnética a 5000A/m (B50). Observou-se também que o tamanho de grão final diminuiu com a laminação a partir de 1040°C, mesmo com um tamanho de grão de partida crescente. Isto resultou num acréscimo na perda magnética a partir desta temperatura e revelou a existência de um tamanho de grão ótimo da BQ. A redução do tamanho de grão final a partir de certo tamanho de grão da BQ é explicada pelo aumento do número de bandas de cisalhamento com o aumento de tamanho de grão de partida para laminar, o que gerou maior número de núcleos para recristalização com conseqüente redução do tamanho de grão final.